Keramické tepelně vodivé podložky z hliníkového nitridu pro MOSFET tranzistor - TO-3P/220/247/254/257/258/264

Keramické tepelné izolační podložky z nitridu hliníku jsou keramické materiály s vynikajícími vlastnostmi, jako je vysoká tepelná vodivost a vysoký elektrický odpor. Kromě toho mají výhody, jako je vysoká tvrdost, odolnost proti korozi, nízká dielektrická konstanta a dielektrické ztráty a nízký koeficient tepelné roztažnosti (CTE). Keramika z nitridu hliníku má vynikající tepelnou vodivost (7-10krát vyšší než keramika z oxidu hlinitého), protože koeficient tepelné roztažnosti křemíku je podobný, a jako nová generace keramických materiálů si získává stále větší pozornost. Pravidelná velikost: Pro typ balení: TO-3P / TO-220 / TO-247 / TO-264 / TO-3/TO-254/TO-257/TO-258, s otvorem nebo bez otvoru. TO – 3P, 25*20*1mm (dostupné i jiné tloušťky); TO-220, 20*14*1mm (dostupné i jiné tloušťky); TO-247, 22*17*0.635mm (dostupné i jiné tloušťky); TO-264, 28*22*1mm (dostupné i jiné tloušťky); TO-3, 39.7*26.67*1mm (tvar kosočtverce). Pro typ balení: TO-3P / TO-220 / TO-247 / TO-264 / TO-3/TO-254/TO-257/TO-258, s otvorem nebo bez otvoru. Materiály: Nitrid hliníku, oxid hlinitý (Al2O3)